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[發明] 光增感化學放大型抗蝕劑材料、圖案形成方法、半導體器件、光刻用掩模、納米壓印用模板 - 202010075147.2
審中-實審

申請人:東京毅力科創株式會社 國立大學法人大阪大學 - 申請日:2015-02-17 - 主分類號:G03F7/004(20060101)
分類號:G03F7/004(20060101) C07C303/32(20060101) C07C309/07(20060101) C07C381/12(20060101) C08F220/14(20060101) C08F220/22(20060101) C08F220/28(20060101) C08F220/38(20060101) G03F1/20(20120101) G03F1/24(20120101) G03F1/26(20120101) G03F7/00(20060101) G03F7/038(20060101) G03F7/039(20060101) G03F7/16(20060101) G03F7/20(20060101) G03F7/32(20060101) G03F7/38(20060101) H01L21/027(20060101)
摘要:本發明提供一種光增感化學放大型抗蝕劑材料及使用了該光增感化學放大型抗蝕劑材料的圖案形成方法、半導體器件、光刻用掩模、以及納米壓印用模板。本發明的光增感化學放大型抗蝕劑材料用于二段曝光光刻工藝,且包含:(1)能夠顯影的基礎成分;及(2)通過曝光產生光增感劑和酸的成分。上述成分僅含有(a)酸?光增感劑產生劑、(b)光增感劑前體及(c)光酸產生劑這3種成分中的(a)成分,或者含有其中的任意2種成分,或者含有(a)~(c)成分的全部。
同族[15]:US10025187B2 - US2016357103A1 - WO2015125788A1 - EP3109703A1 - EP3109703A4 - JP2015172741A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:WO2010058656A1 - WO2012033138A1 - WO2014129556A1 - WO2014208076A1 - WO2014208102A1 - WO2015019616A1 ...   
被引用[3]:US10073349B2 - WO2020016389A1 - EP3133444A1   
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[發明] 感光性樹脂組合物、固化浮雕圖案的制造方法、半導體裝置及顯示體裝置 - 201710335649.2
審中-實審

申請人:旭化成株式會社 - 申請日:2012-12-06 - 主分類號:G03F7/004(2006.01)I
分類號:G03F7/004(2006.01)I G03F7/022(2006.01)I G03F7/023(2006.01)I G03F7/038(2006.01)I G03F7/039(2006.01)I G03F7/16(2006.01)I G03F7/20(2006.01)I G03F7/30(2006.01)I G03F7/32(2006.01)I G03F7/40(2006.01)I H01L21/56(2006.01)I H01L23/29(2006.01)I C08G8/22(2006.01)I C08G16/02(2006.01)I C08G61/02(2006.01)I C08G61/12(2006.01)I C08L61/12(2006.01)I C08L65/00(2006.01)I
摘要:一種感光性樹脂組合物、固化浮雕圖案的制造方法、半導體裝置及顯示體裝置。本發明提供含有(A?1)具有下述通式(1)所示結構的樹脂和(B)光產酸劑的感光性樹脂組合物。[式(1)中,X、R1~R7、m1~m4、n1、n2、Y和W分別如說明書中所規定]
同族[16]:US2014349222A1 - US2017102613A1 - US9575410B2 - WO2013085004A1 - JP2017111455A - JP6228460B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[48]:US2003054284A1 - US2004096771A1 - US2004126696A1 - US2004219451A1 - US2007172755A1 - US2007190454A1 ...   
被引用[34]:US10007183B2 - US10018914B2 - US10294183B2 - US10303055B2 - US10545405B2 - US10642156B2 ...   
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[發明] 制造平面聚合物堆疊物的方法 - 201880086963.4
審中-公開

申請人:阿科瑪法國公司 - 申請日:2018-11-23 - 主分類號:G03F7/00(20060101)
分類號:G03F7/00(20060101) G03F7/004(20060101) G03F7/027(20060101) G03F7/038(20060101) G03F7/095(20060101) G03F7/11(20060101) G03F7/20(20060101) G03F7/09(20060101)
摘要:本發明涉及一種制造平面聚合物堆疊物的方法,所述堆疊物包括彼此在頂部之上堆疊的至少一個第一和一個第二(共)聚合物層(20,30),第一下方(共)聚合物層(20)未受到任何允許其交聯的預先處理,(共)聚合物層中的至少一個最初處于液體或粘性狀態,所述方法的特征在于,將被稱為頂部涂覆物(TC)的上層(30)以預聚物組合物(pre?TC)的形式沉積在第一層(20)上,所述預聚物組合物包含在溶液中的至少一種單體和/或二聚體和/或低聚物和/或聚合物,以及特征在于然后使上層經歷可引起所述層(30,TC)內的分子鏈的交聯反應的刺激。
同族[6]:WO2019102158A1 - EP3714327A1 - KR20200088881A - FR3074180A1 - SG11202004855YA - TW202004335A  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2003059552A1 - US2006165912A1 - US2013280497A1 - US2015205207A1 - US2015261090A1 - US2016131973A1 ...   
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[發明] 膜形成材料、光刻用膜形成用組合物、光學部件形成用材料、抗蝕劑組合物、抗蝕圖案形成方法、抗蝕劑用永久膜、輻射敏感組合物、非晶膜的制造方法、光刻用下層膜形成材料、光刻用下層膜形成用組合物、光刻用下層膜的制造方法及電路圖案形成方法 - 201880042266.9
審中-實審

申請人:三菱瓦斯化學株式會社 - 申請日:2018-06-25 - 主分類號:G03F7/004(20060101)
分類號:G03F7/004(20060101) C07D251/24(20060101) C09D7/63(20060101) C09D201/00(20060101) G03F7/023(20060101) G03F7/027(20060101) G03F7/032(20060101) G03F7/039(20060101) G03F7/11(20060101) G03F7/20(20060101) G03F7/26(20060101) G03F7/40(20060101) H01L21/027(20060101)
摘要:提供能夠適用濕式工藝,用于形成耐熱性、抗蝕圖案形狀、蝕刻耐性、對高低基板的埋入特性和膜的平坦性優異的光刻用膜,耐熱性、透明性和折射率優異的光學部件等的含有下述式(1)所示的三嗪系化合物的膜形成材料。
同族[7]:US2020157060A1 - WO2019004142A1 - EP3647869A1 - EP3647869A4 - JPWO2019004142A1 - KR20200022391A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[42]:US2013081864A1 - US5294511A - US5296330A - US5360692A - US5405720A - US5436098A ...   
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[發明] 光致抗蝕劑組合物及形成光刻圖案的方法 - 201910194500.6
審中-實審

申請人:常州強力先端電子材料有限公司 常州強力電子新材料股份有限公司 - 申請日:2019-03-14 - 主分類號:G03F7/004(20060101)
分類號:G03F7/004(20060101) G03F7/038(20060101) G03F7/039(20060101) G03F7/26(20060101) G03F7/38(20060101) G03F7/40(20060101) G03F7/30(20060101) G03F7/20(20060101)
摘要:本發明提供了一種光致抗蝕劑組合物及形成光刻圖案的方法。上述光致抗蝕劑組合物包括:(A)在酸的作用下堿溶性發生變化的樹脂,(B)光致產酸劑;光致產酸劑選自具有通式(I)或通式(II)所示結構的化合物中的一種或幾種。相比于現有的化學增幅型光致抗蝕劑,本申請提供的光致抗蝕劑組合物具有較好的相容性好和較高的化學穩定性,在黑暗室溫的條件下,能夠長時間保存,不易產生微小粒子;同時其還具有較高的靈敏度,形成的抗蝕圖案形狀好,且顯影后形成的抗蝕圖案的瑕疵點少。
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[發明] 半導體結構的形成方法 - 201210062205.3
無權-視為撤回

申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 - 申請日:2012-03-09 - 主分類號:G03F7/20(2006.01)I
分類號:G03F7/20(2006.01)I G03F7/00(2006.01)I G03F7/32(2006.01)I G03F7/09(2006.01)I G03F7/16(2006.01)I G03F7/40(2006.01)I H01L21/3105(2006.01)I G03F7/039(2006.01)I G03F7/038(2006.01)I
摘要:一種半導體結構的形成方法,包括步驟:提供基底;在所述基底上依次形成正光刻膠層和負光刻膠層;對負光刻膠層和正光刻膠層進行曝光,所述曝光的曝光能量具有第一閾值和第二閾值,且第一閾值大于第二閾值,在第一閾值的曝光能量作用下在正光刻膠層中形成第一曝光區,在第二閾值的曝光能量作用下在負光刻膠層中形成第二曝光區,第二曝光區的寬度大于第一曝光區的寬度;進行第一顯影,去除負光刻膠層的第二曝光區以外的光刻膠,形成第一開口;沿第一開口刻蝕正光刻膠層,形成第二開口;去除負光刻膠層;進行第二顯影,去除正光刻膠層的第一曝光區,形成雙圖形化的正光刻膠圖形。本發明實施例的方法工藝步驟簡單,套刻精度高,工藝過程容易控制。
同族[2]:US2013234294A1 - US9070557B2  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2008261150A1 - US2009111058A1 - US2010059904A1 - US2010062380A1 - US2010068654A1 - US2011070738A1 ...   
被引用[19]:US10020195B2 - US10048594B2 - US10096528B2 - US10429745B2 - US10522428B2 - US10534266B2 ...   
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[發明] 用于制備二維光子晶體的雙光束全息干涉多次曝光方法 - 200810104762.0
無權-視為撤回

申請人:中國科學院半導體研究所 - 申請日:2008-04-23 - 主分類號:G03F7/00(2006.01)I
分類號:G03F7/00(2006.01)I G03F7/004(2006.01)I G03F7/16(2006.01)I G03F7/22(2006.01)I G03F7/20(2006.01)I G03F7/30(2006.01)I G03F7/36(2006.01)I G03F7/26(2006.01)I
摘要:本發明公開了一種用于制備二維光子晶體的雙光束全息干涉多次曝光方法,該方法包括:半導體襯底的清洗;旋涂光刻膠;光刻膠的前烘焙;在雙光束全息系統中多次交叉曝光;顯影;光刻膠的后烘焙;半導體襯底的各向同性腐蝕;除去光刻膠。本發明提供的這種用于制備二維光子晶體的雙光束全息干涉多次曝光方法,與傳統的多光束全息曝光技術、電子束曝光技術等相比,具有操作簡單方便,精度高,價格低廉,可方便地制備大面積的、無缺陷的、占空比和深度可控的各種二維光子晶體點陣,滿足了制備光子晶體的需求。
被引用[14]:US9885811B2 - CN102243438A - CN102260870A - CN102306624A - CN102707584A - CN102736451A ...   
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[發明] 一種正性光刻膠組合物和形成光刻膠圖案的方法 - 202010452566.3
審中-實審

申請人:蘇州理碩科技有限公司 - 申請日:2020-05-26 - 主分類號:G03F7/039(20060101)
分類號:G03F7/039(20060101) G03F7/032(20060101) G03F7/033(20060101) G03F7/004(20060101) G03F7/16(20060101) G03F7/20(20060101) G03F7/30(20060101) G03F7/38(20060101)
摘要:本發明公開了一種正性光刻膠組合物和形成光刻膠圖案的方法。該正性光刻膠組合物包括以下組分:組分(1):含有多個重復單元的樹脂,所述樹脂的重復單元中含有酚羥基基團;組分(2):光致產酸劑;組分(3):含有乙烯基醚基團的熱交聯劑。其中,組分(1)和組分(3)在前烘過程中通過弱的架橋反應進行固化,與不含苯環的羥基樹脂相比,本發明的組分(1)和組分(3)的成膜固化效果更好,然后再用光致產酸劑產生的光酸去切斷熱交聯劑和樹脂間的弱的化學結合,進行脫保護作用,從而使得曝光區域的樹脂的堿溶性增大,可被堿性顯影液洗去,從而達到曝光后光刻膠的正性成像目的。
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[發明] 以有機金屬溶液為主的高分辨率圖案化組合物 - 202010158111.0
審中-實審

申請人:因普利亞公司 - 申請日:2014-07-25 - 主分類號:G03F7/20(20060101)
分類號:G03F7/20(20060101) G03F7/32(20060101) G03F7/30(20060101) G03F7/09(20060101) G03F7/039(20060101) G03F7/038(20060101) G03F7/004(20060101) G03F1/56(20120101) G03F1/48(20120101) H01L21/56(20060101)
摘要:本發明涉及以有機金屬溶液為主的高分辨率圖案化組合物。已發現有機金屬溶液可提供使用薄涂層的以高分辨率輻射為主的圖案化。所述圖案化可涉及輻照具有所選圖案的經涂布表面和用顯影劑使所述圖案顯影以形成經顯影的圖像?;谑褂糜袡C顯影劑或水性酸或堿顯影劑,所述可圖案化涂層容易正型圖案化或負型圖案化。輻射敏感涂層可包含具有有機配體的金屬氧/羥網狀物。前體溶液可包含有機液體和金屬多核氧?羥陽離子,其具有含有金屬碳鍵和/或金屬羧酸鹽鍵的有機配體。
同族[24]:US10025179B2 - US10416554B2 - US2015056542A1 - US2016216606A1 - US2018307137A1 - US2019369489A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[101]:US10025179B2 - US2002076495A1 - US2002160298A1 - US2003124457A1 - US2004067444A1 - US2005242330A1 ...   
被引用[41]:US10025179B2 - US10228618B2 - US10381481B1 - US10416554B2 - US10490442B2 - US10564544B2 ...   
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[發明授權] 取向性電磁鋼板的制造方法 - 201680009420.3;107208304B
有權

申請人:杰富意鋼鐵株式會社 - 申請日:2016-02-01 - 主分類號:C25F3/06(2006.01)I
分類號:C25F3/06(2006.01)I C21D8/12(2006.01)I G03F7/023(2006.01)I G03F7/027(2006.01)I G03F7/031(2006.01)I G03F7/033(2006.01)I G03F7/038(2006.01)I G03F7/039(2006.01)I G03F7/40(2006.01)I H01F1/16(2006.01)I C22C38/00(2006.01)I C22C38/06(2006.01)I
摘要:本發明提供能夠兼顧良好的鐵損和高生產率的取向性電磁鋼板的制造方法。在用于磁疇細化的槽形成中,涂布含有感光性樹脂的抗蝕劑,進行曝光和顯影,由此形成線狀的鋼基露出部,在接著進行的電解蝕刻中,將接通于電極的電流設為I、將面積與電極的面積相同的鋼板表面中的鋼基露出部的面積設為S時,使對于鋼基露出部的電流密度ρ=I/S為7.5A/cm2以上。
同族[12]:US2018017868A1 - WO2016129235A1 - WO2016129235A8 - EP3257973A1 - EP3257973A4 - JP6146535B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:WO2011162086A1 - WO2016092858A1 - WO2016103668A1 - EP0469710A1 - EP2573193A1 - JP2005123651A ...   
被引用[3]:WO2020099037A1 - EP3654355A1 - CN107675190A   
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